产品介绍

Product Introduction

SD3077:内置晶振、全温度补偿的时钟IC,兼容RX

简要描述:SD3077是一种具有标准I2C接口的实时时钟芯片,CPU可使用该接口通过7位地址寻址来读写片内122字节寄存器的数据(包括时间寄存器、报警寄存器、控制寄存器、电池电量寄存器、70字节的...

详细介绍
 
       SD3077是一种具有标准I2C接口的实时时钟芯片,CPU可使用该接口通过7位地址寻址来读写片内122字节寄存器的数据(包括时间寄存器、报警寄存器、控制寄存器、电池电量寄存器、70字节的用户SRAM寄存器及8字节的ID码寄存器)。
       SD3077内置晶振及数字温度补偿,用户可以不用顾虑因外接晶振,谐振电容等所带来的的元件匹配误差问题、晶振温度特性问题及可靠性问题,实现在常温及宽温范围内不需用户干预、全自动、高可靠计时功能。
       SD3077内置定时/报警中断输出脚和独立的32K输出脚,报警中断时间最长可设至100年。
       SD3077具有一个后备电池输入脚VBAT,内部的充电电路可对外接的充电电池进行智能充电,也可对电池电量进行检测和欠压报警指示。(针对使用充电电池的重要提示:强烈建议用户的程序在每一次上电时重置18H寄存器的值为82H,用于确保开启充电功能)
       SD3077内置8字节的ID,每一颗芯片具备唯一的身份识别码。
       SD3077软件向下兼容SD2068、SD2400;SD3077与RX-8010管脚兼容需要技术支持、申请样品请联系:17727443385(V同号)。
主要特点
  • 低功耗:0.8µA典型值(VBAT=3.0V,Ta=25℃)。
  • 工作电压:2.7V~5.5V,工作温度为-40℃~+85℃。
  • 标准IIC总线接口方式,最高速度400KHZ(4.5V~5.5V)。
  • 年、月、日、星期、时、分、秒的BCD码输入/输出,并可通过独立的地址访问各时间寄存器。
  • 闰年自动调整功能(从2000年~2099年)。
  • 可选择12/24小时制式。
  • 内置年、月、日、星期、时、分、秒共7字节的报警数据寄存器及1字节的报警允许寄存器,共有96种组合报警方式,并有单事件报警和周期性报警两种中断输出模式,报警时间最长可设至100年。
  • 周期性频率中断输出:从4096Hz~1/16Hz······1秒共十四种方波脉冲。
  • 自动重置的三字节共24位的倒计时定时器,可选的4种时钟源(4096HZ、1024HZ、1秒、1分钟),最小定时为244us,最长定时可到31年,通过计算可获得较精确的毫秒级定时值。
  • 5种中断均可选择从INT脚输出,并具有4个中断标志位。
  • 内置70字节通用SRAM寄存器可用于存储用户的一般数据。
  • 内置8bit转换结果的数字温度传感器,为了节省电池电量消耗,设为VDD模式下60S间隔测温一次,电池模式600S间隔测温一次。
  • 内置记录历史高、低温发生时刻及相关温度值的功能;可设置高、低温报警值并从INT脚输出中断。
  • 内置晶振和谐振电容,芯片内部通过高精度补偿方法,实现在宽温范围内高精度的计时功能,出厂精度为25℃精度<±3.8ppm(VDD=3.3V)。
  • 具有一次性或充电的后备电池输入脚VBAT,其内部的3.3V稳压充电电路可选择性地对外接的充电电池进行自动充电,内置的充电限流电阻可位选2KΩ、5KΩ和10KΩ三种。
  • 内置电池电压检测功能,可读取当前电池电压值(三位有效数),设置高低电池报警电压值并从INT脚输出中断。
  • 芯片依据不同的电压自动从VDD切换到VBAT或从VBAT切换到VDD。当芯片检测到主电源VDD掉到2.4V电压以下且VDD小于VBAT芯片会转为由接在VBAT的后备电池供电;当VDD大于VBAT或VDD大于2.4V,则芯片会转为由VDD供电。(内置电源模式指示位PMF,VDD模式时PMF=0,VBAT模式时PMF=1)。
  • 内置8字节的ID码,芯片出厂之前设定的、全球唯一的身份识别码。
  • 内置IIC总线0.5秒自动复位功能(从Start命令开始计时),该功能可以避免IIC总线挂死问题。
  • 内置三个时钟数据写保护位,避免对数据的误写操作,可更好地保护数据。
  • 内置软件可控VBAT模式IIC总线通信禁止功能(BATIIC=0,VBAT模式下禁止IIC通信;BATIIC=1,VBAT模式下允许IIC通信,上电默认值BATIIC=0),从而避免在电池供电时CPU对时钟操作所消耗的电池电量,也可避免在VDD上、下电的过程中因CPU的I/0端口所输出的不受控的杂波信号对时钟芯片的误写操作,进一步提高时钟芯片的可靠性。
  • 内置上电指示位RTCF,当包括电池在内的所有电源第一次上电时该位置1。
  • 内置电池电压欠压指示位BLF,当电池电压低于2.2V时BLF位置1。
  • 内置停振检测位0SF,当内部振荡器停止振荡时该位置1。
  • 芯片在兴威帆的评估板上可通过4KV的群脉冲(EFT)干扰。
  • CMOS工艺
  • 封装形式:SOP8(宽度208mi1)。
管脚定义
 
原理框图
应用参考电路

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